| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,廠(chǎng)家直(zhí)銷
ZnO晶相位(wèi)于晶粒(lì)體(tǐ)內(nèi),为(wèi)低(dī)電(diàn)阻率的(de)半導體(tǐ),对(duì)大(dà)電(diàn)流特(tè)性(xìng)有(yǒu)決定(dìng)性(xìng)作(zuò)用(yòng)。ZnO半導化(huà)的(de)原因主要(yào)是(shì)氧不(bù)足導致(zhì)的(de)非(fēi)化(huà)學(xué)計(jì)量(liàng)比和(hé)施主摻雜,有(yǒu)大(dà)量(liàng)的(de)導電(diàn)電(diàn)子存在(zài),为(wèi)n型半導體(tǐ)。富铋相,约在(zài)750℃形成(chéng)12/14 Bi2O3
·Cr2O3 ,温(wēn)度(dù)低(dī)于850℃參與(yǔ)形成(chéng)焦綠(lǜ)石(dàn)相,超过(guò)850℃後(hòu)從焦綠(lǜ)石(dàn)相中(zhōng)分(fēn)離出(chū)来(lái),生(shēng)成(chéng)含
Cr的(de)富铋相,含有(yǒu)尖晶石(dàn)相和(hé)Zn,随着温(wēn)度(dù)的(de)升(shēng)高,Cr逐步移到(dào)尖晶石(dàn)相中(zhōng)。
Cr有(yǒu)穩定(dìng)尖晶石(dàn)相的(de)作(zuò)用(yòng),高温(wēn)冷(lěng)卻时(shí),可(kě)以阻止生(shēng)成(chéng)焦綠(lǜ)石(dàn)相。 焦綠(lǜ)石(dàn)相700-900℃时(shí)形成(chéng),850℃时(shí)达(dá)到(dào)峰(fēng)值,约950℃时(shí)消失,
反(fǎn)應(yìng)式如(rú)下(xià)
2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,篇(piān)幅有(yǒu)限,恕不(bù)一(yī)一(yī)呈現(xiàn),欲知詳请,歡迎撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子(www.jqmi.com.cn)聯系(xì),謝謝!






压敏電(diàn)阻器采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,品種(zhǒng)齊全(quán)
電(diàn)压比與(yǔ)殘压UR
電(diàn)压比指压敏電(diàn)阻器的(de)電(diàn)流为(wèi)1mA时(shí)産生(shēng)的(de)電(diàn)压值與(yǔ)压敏電(diàn)阻器的(de)電(diàn)流为(wèi)0.1mA时(shí)産生(shēng)的(de)電(diàn)压值之(zhī)比。
殘压UR是(shì)指特(tè)定(dìng)波(bō)形的(de)浪湧電(diàn)流流入(rù)压敏電(diàn)阻器时(shí),它(tā)两(liǎng)端電(diàn)压的(de)峰(fēng)值。一(yī)般来(lái)说(shuō),流入(rù)压敏電(diàn)阻器的(de)浪湧電(diàn)流的(de)峰(fēng)值都在(zài)1mA以上(shàng),对(duì)通(tòng)用(yòng)压敏電(diàn)阻和(hé)防雷(léi)型压敏電(diàn)阻而(ér)言,所(suǒ)謂特(tè)定(dìng)波(bō)形指的(de)是(shì)IEC本(běn)60060-2: 1973标(biāo)準規定(dìng)的(de)8/20 μs标(biāo)準雷(léi)電(diàn)流波(bō)形。

源林(lín)電(diàn)子(www.jqmi.com.cn)的(de)压敏電(diàn)阻器廣受贊譽,可(kě)靠性(xìng)高、性(xìng)價比高,具有(yǒu)很強(qiáng)的(de)市场(chǎng)競争力,想(xiǎng)了(le)解(jiě)更(gèng)多温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器資料,歡迎来(lái)電(diàn)咨詢!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |